光刻膠烘箱的核心技術要求

1. 溫度控制

• 溫度范圍：室溫~250℃（根據(jù)光刻膠類型調整，如I線膠通常90~120℃，EUV膠需200℃以上）。

• 均勻性：±0.5℃以內（晶圓級烘箱需±0.1℃），避免膠膜厚度不均或顯影缺陷。

• 升溫速率：1~5℃/秒（快速熱退火RTP型烘箱可達10℃/秒）。

2. 潔凈度

• Class 10~100級（ISO 4~5級），需配置HEPA/ULPA過濾器（過濾效率≥99.995%）。

• 無塵設計：內腔為不銹鋼或陶瓷涂層，避免顆粒污染膠面。

3. 氣氛控制

• 惰性氣體保護（N?、Ar）防止光刻膠氧化（氧含量≤10 ppm）。

• 局部排風：排出揮發(fā)性有機物（VOCs），避免冷凝回流。

4. 工藝適配性

• 真空烘箱：用于厚膠（SU-8）或避免氣泡的工藝，真空度可達10?3 mbar。

• 紅外加熱：減少熱滯后，適合大尺寸基板（如面板顯示制程）。